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SI4406DY-T1-E3 - 

N-CHANNEL 30V (D-S) MOSFET

Siliconix / Vishay SI4406DY-T1-E3
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
SI4406DY-T1-E3
倉庫庫存編號:
70026213
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View SI4406DY-T1-E3 Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時在庫數(shù)量,謝謝合作!

SI4406DY-T1-E3產(chǎn)品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
  • SI4406DY-T1-E3產(chǎn)品信息

      Brand/Series  SI44 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Quad Drain, Triple Source  
      Current, Drain  13 A  
      Dimensions  5 x 4 x 1.55 mm  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Power Dissipation  1.6 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.0055 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Time, Turn-On Delay  21 ns  
      Transconductance, Forward  95 S  
      Voltage, Drain to Source  30 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.1 V  
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