IRFS3806TRLPBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1150 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 1150 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1150 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1150 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 43 A  International Rectifier Current, Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 71 W  International Rectifier Power Dissipation 71 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W   Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 49 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns   Time, Turn-On Delay 6.3 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 6.3 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.3 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.3 ns   Transconductance, Forward 41 S  International Rectifier Transconductance, Forward 41 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 41 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 41 S   Typical Gate Charge @ Vgs 28.3 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 28.3 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 28.3 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 28.3 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)