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IRFS3206PBF - 

MOSFET, N Ch., 60V, 210A, 3 MOHM, 120 NC QG, D2-PAK, Pb-Free

International Rectifier IRFS3206PBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFS3206PBF
倉庫庫存編號(hào):
70017940
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFS3206PBF Datasheet Datasheet
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IRFS3206PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  6540 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  210 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  300 W  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-On Delay  19 ns  
  Transconductance, Forward  210 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  120 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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