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IRFP140NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.052Ohm; ID 33A; TO-247AC; PD 140W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP140NPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFP140NPBF
倉庫庫存編號：
70017033
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFP140NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFP140NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP140NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1400 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  33 A  
  Dimensions  15.87 X 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  94 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.052 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  44 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.2 ns  
  Transconductance, Forward  11 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 94 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Drain 33 A  MOSFET Transistors Current, Drain 33 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 33 A   Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 94 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 94 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 94 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 94 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 0.052 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.052 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.052 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.052 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 44 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns   Time, Turn-On Delay 8.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 8.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.2 ns   Transconductance, Forward 11 S  International Rectifier Transconductance, Forward 11 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 94 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 94 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 94 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 94 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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