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IRFP044NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.02Ohm; ID 53A; TO-247AC; PD 120W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP044NPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFP044NPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017030
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFP044NPBF Datasheet Datasheet
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IRFP044NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP044NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1500 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  53 A  
  Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  61 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  120 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.02 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  43 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  16 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 61 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Drain 53 A  MOSFET Transistors Current, Drain 53 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 53 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 61 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 61 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 61 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 61 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 120 W  International Rectifier Power Dissipation 120 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W   Resistance, Drain to Source On 0.02 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.02 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.02 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.02 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 43 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 16 S  International Rectifier Transconductance, Forward 16 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 16 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 16 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 61 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 61 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 61 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 61 nC @ 10 V   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(5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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