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IRFB4710PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.011Ohm; ID 75A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFB4710PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產品編號：
IRFB4710PBF
倉庫庫存編號：
70017021
技術數(shù)據(jù)表：
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IRFB4710PBF產品概述

N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFB4710PBF產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  75 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  110 nC  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.014 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  41 ns  
  Time, Turn-On Delay  35 ns  
  Transconductance, Forward  35 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  110 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
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電話:400-900-3095
QQ:800152669
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