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IRF9333PBF - 

IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF9333PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF9333PBF
倉庫庫存編號：
70019296
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRF9333PBF
库存编号:IRF9333PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO0
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IRF9333PBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9333PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1110 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -9.2 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  32.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  55 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  13 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -9.2 A  International Rectifier Current, Drain -9.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 13 S  International Rectifier Transconductance, Forward 13 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 13 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 13 S   Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V   Voltage, Drain to Source -30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRF9333PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

RoHS: Compliant
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IRF9333PBF
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MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC

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IRF9333PBF
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Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube - Rail/Tube (Alt: IRF9333PBF)

RoHS: Compliant
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IRF9333PBF
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Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube (Alt: SP001554504)

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IRF9333PBF
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, MOSFET, P, 30V, 9.2A, SO-8

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IRF9333PBF
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IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF9333PBF
INFINEON IRF9333PBF		1831077

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

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IRF9333PBF.
INFINEON IRF9333PBF.		2127774

INFINEON

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF9333PBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF9333PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
725-9259
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IRF9333PBF|International RectifierIRF9333PBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
Rohs

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IRF9333PBF|International RectifierIRF9333PBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
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International Rectifier		MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
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IR - IRF9333PBF - MOSFET P, -30 V -9.2 A 2.5 W SO-8, IRF9333PBF, IR		IR
MOSFET P, -30 V -9.2 A 2.5 W SO-8, IRF9333PBF, IR

型号：IRF9333PBF
仓库库存编号：171-37-236

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International Rectifier - IRF9333PBF - 8-Pin SOIC 30 V 9.2 A IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor|70019296 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC

型号：IRF9333PBF
仓库库存编号：70019296

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電話:400-900-3095
QQ:800152669
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