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IRF640NSTRLPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 150W; VGS +/-20V; -55

International Rectifier IRF640NSTRLPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRF640NSTRLPBF
倉庫庫存編號:
70017430
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF640NSTRLPBF Datasheet Datasheet
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IRF640NSTRLPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRF640NSTRLPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1160 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  18 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  67 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  150 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.15 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  1 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  6.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 67 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 67 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 150 W  International Rectifier Power Dissipation 150 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power 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