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IRF540ZSPBF - 

IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 36 A, 100 V, 3-Pin D2PAK

International Rectifier IRF540ZSPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF540ZSPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70018224
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF540ZSPBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF540ZSPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF540ZSPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1770 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  36 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  92 W  
  Resistance, Drain to Source On  26.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  43 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  36 V  
  Typical Gate Charge @ Vgs  42 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Drain 36 A  MOSFET Transistors Current, Drain 36 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 36 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 92 W  International Rectifier Power Dissipation 92 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 92 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 92 W   Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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